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LDMOS功放管损坏原因分析
Release time:2015-04-12 Clicks:203
一般我们把功放管的损坏分为热损坏和电损坏,主要是使LDMOS 内部的寄生的双极性器件导通导致功放管损坏,电损坏主要由反射,漏压和电感电压叠加在一起如果达到击穿电压则功放管损坏。
那么NXP 功放管都是建立在10:1驻波比条件下不损坏的可靠性测试,可靠性有很好的保证。那么在实际应用中要注意的方面很多,保证散热,接地良好,漏压保持一定范围等等。

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